相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢(shì)，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡(jiǎn)化周邊電路的設(shè)計(jì)，達(dá)到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。除了輕化車輛設(shè)計(jì)之外，因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的能源轉(zhuǎn)換損失，兩者對(duì)于電動(dòng)車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭?。因此，SiC及GaN功率組件的技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展，與電動(dòng)車的發(fā)展密不可分。

然而，SiC材料仍在驗(yàn)證與導(dǎo)入階段，在現(xiàn)階段車用領(lǐng)域僅應(yīng)用于賽車上，因此，全球現(xiàn)階段的車用功率組件，采用SiC的解決方案的面積不到千分之一。另一方面，目前市場(chǎng)上的GaN功率組件則以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進(jìn)行制造，其中GaN-on-SiC在散熱性能上具有優(yōu)勢(shì)，相當(dāng)適合應(yīng)用在高溫、高頻的操作環(huán)境，因此以5G基站的應(yīng)用能見(jiàn)度較高，預(yù)期SiC基板未來(lái)五年在通過(guò)車廠驗(yàn)證與2020年5G商用的帶動(dòng)下，將進(jìn)入高速成長(zhǎng)期。

盡管GaN基板在面積大型化的過(guò)程中，成本居高不下，造成GaN基板的產(chǎn)值目前仍小于SiC基板。但GaN能在高頻操作的優(yōu)勢(shì)，仍是各大科技廠矚目的焦點(diǎn)。除了高規(guī)格產(chǎn)品使用GaN-on-SiC的技術(shù)外，GaN-on-Si透過(guò)其成本優(yōu)勢(shì)，成為目前GaN功率組件的市場(chǎng)主流，在車用、智能手機(jī)所需的電源管理芯片及充電系統(tǒng)的應(yīng)用具有成長(zhǎng)性。